Hall-Effekt, n-Ge auf Leiterplatte
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Art.Nr.: 1009760_3B
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Hall-Effekt, n-Ge auf Leiterplatte 1
Hall-Effekt, n-Ge auf Leiterplatte
Produktbeschreibung
Hall-Effekt, n-Ge auf Leiterplatte
Hochwertige Wechselplatine mit n-dotiertem Ge-Kristall zur Untersuchung der Leitfähigkeit und der Hall-Spannung
für n-dotiertes Germanium in Abhängigkeit von der Temperatur.
Mit Kontakten für Querstrom und Hall-Spannung, integrierter Widerstandsheizung mit Thermofühler direkt unter
dem Kristall und Vielfachstecker zum Anschluss der Leiterplatte an das Hall- Effekt-Basisgerät (1009934_3B)
Technische Daten:
Kristallabmessungen: ca. 20x10x1 mm³
Abmessungen: ca. 70x70x10 mm³
Masse: ca. 30 g
1 Bewertungen
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Geschrieben von Hanne D. am 25.08.2009
Bin hier überzeugt
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Herstellerkennzeichnung
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