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Hall-Effekt, n-Ge auf Leiterplatte

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Art.Nr.: 1009760_3B


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Hall-Effekt, n-Ge auf Leiterplatte


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Produktbeschreibung

Hall-Effekt, n-Ge auf Leiterplatte

Hochwertige Wechselplatine mit n-dotiertem Ge-Kristall zur Untersuchung der Leitfähigkeit und der Hall-Spannung
für n-dotiertes Germanium in Abhängigkeit von der Temperatur.
Mit Kontakten für Querstrom und Hall-Spannung, integrierter Widerstandsheizung mit Thermofühler direkt unter
dem Kristall und Vielfachstecker zum Anschluss der Leiterplatte an das Hall- Effekt-Basisgerät (1009934_3B)

Technische Daten:

Kristallabmessungen: ca. 20x10x1 mm³
Abmessungen: ca. 70x70x10 mm³
Masse: ca. 30 g


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Geschrieben von Hanne D. am 25.08.2009

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